Особенности эксплуатации транзисторов в радиоаппаратуре
При конструировании, ремонте и эксплуатации компьютерной техники следует принимать во внимание ее специфические параметры. Высокая надежность радиотехники может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс характеристик транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость характеристик от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.
Биполярные транзисторы сохраняют свои характеристики в установленных пределах в условиях работы и хранения, характерных для разных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации техники могут изменяться в широких пределах. Данные условия характеризуются внешними вибрационными нагрузками и климатическими воздействиями (атмосферными и др.).
Общие условия, справедливые для всех биполярных транзисторов, предназначенных для применения в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих технических условиях. Нормы на значения электрических параметров и специфические требования, относящиеся к конкретному типу транзистора, находятся в частных технических условиях.
Для удобства конструирования и ремонта основные характеристики транзисторов и их схемы приведены в справочнике. К преимуществам Интернет справочника можно отнести его общедоступность, пополняемость, мгновенный поиск требуемого транзистора по маркировке и аналогу.
Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые характеристики транзисторов и свойства могут изменяться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий служат корпуса приборов. Конструктивное оформление транзисторов рассчитано на их применение в составе аппаратуры при любых допустимых условиях эксплуатации. Важно помнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании транзисторов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них электронными элементами следует покрывать лаком не менее чем в три слоя.
Все большее распространение находят так называемые бескорпусные транзисторы, предназначенные для использования в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких элементов защищены специальным покрытием, но оно не дает дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы.
Чтобы осуществить долголетнюю и безотказную работу радиоэлектронной аппаратуры, конструктор обязан не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить нужные условия ее эксплуатации и хранения.
Транзисторы - приборы универсального назначения. Они могут быть отлично использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других устройствах. Но набор параметров и характеристик, расположенных в электронном справочнике, соответствует главному назначению транзистора. В справочнике приводятся значения параметров транзисторов, гарантируемые ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов работы. Рабочий режим транзистора в проектируемом устройстве часто отличается от того режима, для которого есть параметры в ТУ.
Значения большинства параметров транзисторов зависят от рабочего режима и температуры, причем с увеличением температуры значения параметров от режима заметно более сильно. В справочнике приведены, как правило, типовые (усредненные) зависимости характеристик транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Данные зависимости могут использоваться при установке типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как данные параметров трехполюсников одного типа не одинаковы, а находятся в некотором диапазоне. Данный интервал ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые характеристики имеют двустороннее ограничение.
При настройке компьютерной техники необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более больших интервалах изменений важнейших параметров транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при настройке могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — способом граничных испытаний.
Полевые трехполюсники с управляющим р-n переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при изменении потенциала затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока.
В отличие от транзисторов с управляющим р-n переходом, у которых функциональная область составляет от Uзи = 0 до потенциала запирания, МДП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при любых значениях потенциала на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.
